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海飞乐技术封装600VMOS管，600V/5A，600V/8A，600V/10A，600V/12A，600V/15A，600V20A的MOSFET（650V），600V/29A的MOS，600V/30A的MOS管（650V） 600V/33A的MOSFET，600V/34A的MOS管，600V/38A的MOSFET，600V40A MOS，600V/45A的MOS， 600V/47A的MOS（650V）， 600V/50A的MOS管10. 600V/55A的MOS管（650V），600V/60A的MOS模块，600V/65A，600V68A，600V70A，600V/80A的MOSFET，600V/82A，600V/85A，600V/88A，600V/90A
IRFZ46N：是N沟道大功率MOS管.也就是场效应管.参数:ID = 53A；PD =107W；VDS = 55V； RDS = 16.5mΩ.
IRFZ44N：是N沟道大功率MOS管.也就是场效应管.参数:ID = 55A; PD =83W; VDS = 55V; RDS = 0.024ohm
如果电路要求不严，可以代替。
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100N10在TO-220AB封装里的栅极阈值电压VGS(TH)为4V，是一款大功率MOS管。100N10的脉冲漏极电流IDM为390A，连续漏极电流(ID)为100A，其工作时耐温度范围为-55~150摄氏度。100N10的功耗(PD)为166W，静态漏源导通电阻(RDS(ON))为8.8mΩ。100N10的电性参数是：二极管正向电压(VSD)为1.3V，反向恢复时间(trr)为47nS，输出电容(Coss)为373pF，其中有3条引线。
100N10参数描述
型号：100N10
封装：TO-220AB
特性：大功率MOS管
电性参数：100A 100V
栅极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：100A
功耗(PD)：166W
二极管正向电压(VSD)：1.3V
静态漏源导通电阻(RDS(ON))：8.8mΩ
脉冲漏极电流IDM：390A
反向恢复时间(trr)：47nS
输出电容(Coss)：373pF
贮存温度：-55~+150℃
引线数量：3
100N10属于TO-220AB封装系列。它的本体长度为15.32mm，加引脚长度为29.62mm，宽度为10.5mm，高度为4.86mm，脚间距为2.67mm。
HF/VHF 功率MOS 晶体管BLF117，耗散功率200W，工作频率可高达100MHz.
常用进口高频中大功率晶体管型号2SA634、2SA636、2SA648A、2SA670、2SB940、2SB734、2SC2068、2SC2258、2SC2371、2SD1266A、2SD966、2SD8829、S8050、S8550、BD135、BD136等型号。
常用国产高频中大功率晶体管型号3DG41A～3DG41G、3DG83A～3DG83E、3DA87A～3DA87E、3DA88A～3DA88E、3DA93A～3DA93D、3DA151A～3DG151D、3DA1～3DA5、3DA100～3DA108、3DA14A～3DA14D、3DA30A～3DA30D、3DG152A～3DG152J、3CA1～3CA9。
场效应管 MOSFET N SUPER 220
40V 206A
晶体管极性:N沟道
电流, Id
连续:206A
电压, Vds
最大:40V
在电阻RDS（上）:3.7mohm
阈值电压, Vgs th
典型值:4V
功耗, Pd:300W
封装类型:TO-273AA
SVHC(高度关注物质):No SVHC
(18-Jun-2012)
功率, Pd:300W
功耗:300W
封装类型:Super-220
热阻, 结至外壳
A:0.5°C/W
电压 Vgs @ Rds on
测量:10V
电压, Vds
典型值:40V
电流, Idm
脉冲:650A
通态电阻, Rds on @ Vgs =
10V:3.7ohm
阈值电压, Vgs th
最高:4V
这些大功率的进口的比较多，台湾也有几个品牌。这个有20A，29A，30A，33A，34A，38A，45A，600V47A MOS管，50A，55A，60A。海飞乐技术封装这些MOS。
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MOS场效应管60N10比较“娇气”。这是因为它的输入电阻很高，而栅极和源极之间的电容很小，很容易被外界电磁场或静电的感应充电，少量的电荷就可以形成一个比较高的电极间电容上的电压，会损坏管子。因此，60N10出厂时将所有引脚扭绞在一起，或装在金属箔内，使G极和S极等电位，以防止静电荷的积累。不使用管子时，所有引线也应短接。下面给大家介绍一下ASEMI大功率MOS管60N10的检测方法。测量时要格外小心，并采取相应的防静电措施。
60N10参数描述
型号：60N10
封装：TO-263
特性：大功率MOS管
电性参数：60A 100V
栅极阈值电压VGS(TH)：4V
连续漏极电流(ID)：60A
功耗(PD)：160W
二极管正向电压(VSD)：1.2V
静态漏源导通电阻(RDS(ON))：17mΩ
零栅极电压漏极电流(IDSS)：1uA
反向恢复时间(trr)：35nS
输出电容(Coss)：182.5pF
贮存温度：-55~+175℃
引线数量：3
大功率MOS管60N10的检测方法：
1、准备
测量前，在接触MOSFET管60N10的引脚之前将人体短接到地。最好在手腕上接一根电线与大地相连，使人体与大地保持等电位，再把管脚分开，然后拆掉导线。
2、判断电极
将万用表置于R×100档，先确定栅极。如果一个管脚和其他管脚的电阻是无穷大的，证明这个管脚就是栅极G。交换表笔重测量，S-D之间的电阻值应该是几百欧到几千欧，电阻值较小时，黑色表笔接的为D极，红色表笔接S极。
3、检查放大能力（跨导）
将G极置于空中，将黑表笔接D极，红表笔接S极，然后用手指触摸G极，针头应有较大偏转。双栅MOS场效应晶体管有两个栅极G1和G2。为了区分它们，可以用手分别触摸G1和G2极，G2极是针向左偏斜较大的极。
目前的MOS管60N10在G-S极之间加了保护二极管，所以平时不用短接各个管脚。
MOS管类的有：
H120N60 NMOS GDS 600V120A
IXGH60N60A NMOS GDS 600V60A
IGBT类的有：
GT15Q101 NMOS GDS IGBT 1400V15A150W
GT25J101 NMOS GDS IGBT 800V25A150W
GT25Q101 NMOS GDS IGBT 1400V25A180W
GT40T101 NMOS GDS IGBT 1500V40A300W
GT60M103 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
GT60M301 NMOS GDS IGBT 900V60A300W
IMBH60 NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W
IMBH60D NMOS GDS-100 IGBT 1000V60A300W
1、高频大功率场效应管有：FET 2SK2744、2SK1520、CF2N60S等。
2、场效应晶体管(Field Effect Transistor缩写(FET))简称场效应管。主要有两种类型(junction FET-JFET)和金属 - 氧化物半导体场效应管(metal-oxide semiconductor FET，简称MOS-FET)。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。它属于电压控制型半导体器件。具有输入电阻高(10~10Ω)、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。
3、高频及感应加热技术目前对金属材料加热效率最高、速度最快，且低耗环保。它已经广泛应用于各行各业对金属材料的热加工、热处理、热装配及焊接、熔炼等工艺中。它不但可以对工件整体加热，还能对工件局部的针对性加热;可实现工件的深层透热，也可只对其表面、表层集中加热;不但可对金属材料直接加热，也可对非金属材料进行间接式加热。等等。因此，感应加热技术必将在各行各业中应用越来越广泛。高频是指频带由3MHz到30MHz的无线电波。HF多数是用作民用电台广播及短波广播。其对于电子仪器所发出的电波抵抗力较弱，因此经常受到干扰。
型号 电压/电流 封装
2N7000 60V,0.115A TO-92
2N7002 60V,0.2A SOT-23
IRF510A 100V,5.6A TO-220
IRF520A 100V,9.2A TO-220
IRF530A 100V,14A TO-220
IRF540A 100V,28A TO-220
IRF610A 200V,3.3A TO-220
IRF620A 200V,5A TO-220
IRF630A 200V,9A TO-220
IRF634A 250V,8.1A TO-220
IRF640A 200V,18A TO-220
IRF644A 250V,14A TO-220
IRF650A 200V,28A TO-220
IRF654A 250V,21A TO-220
IRF720A 400V,3.3A TO-220
IRF730A 400V,5.5A TO-220
IRF740A 400V,10A TO-220
IRF750A 400V,15A TO-220
IRF820A 500V,2.5A TO-220
IRF830A 500V,4.5A TO-220
IRF840A 500V,8A TO-220
IRFP150A 100V,43A TO-3P
IRFP250A 200V,32A TO-3P
IRFP450A 500V,14A TO-3P
IRFR024A 60V,15A D-PAK
IRFR120A 100V,8.4A D-PAK
IRFR214A 250V,2.2A D-PAK
IRFR220A 200V,4.6A D-PAK
IRFR224A 250V,3.8A D-PAK
IRFR310A 400V,1.7A D-PAK
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